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Desplats, Olivier. Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires - Réalisation de micro et nano structures sur GaAs

Desplats, Olivier (2008) Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires - Réalisation de micro et nano structures sur GaAs.

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Résumé en francais

La structuration de surface et la reprise d'épitaxie sont des technologies clé pour le développement des (nano)dispositifs optoélectroniques avancés. Nos travaux de thèse ont visé la préparation de surfaces GaAs micro et nanostructurées pour l'épitaxie et l'étude de la croissance dirigée de boîtes quantiques InAs sur ces surfaces. La lithographie électronique a été retenue pour structurer la résine en surface et une attaque chimique pour le transfert du motif dans le semiconducteur. La décontamination de la surface par plasma micro-onde O2 : SF6 a été démontrée. Sa rugosité a été supprimée par désoxydation in-situ à basse température avec un plasma d'hydrogène. L'influence de l'orientation et de l'échelle des motifs sur l'épitaxie de GaAs a été précisée. Des boîtes quantiques d'InAs ont été réalisées sur ces surfaces recouvertes d'un puits de GaInAs et leur organisation obtenue. Cette méthode de préparation convient aussi pour l'épitaxie sélective de GaAs sur des surfaces structurées par des motifs de Si3N4.

Sous la direction du :
Directeur de thèse
Fontaine , Chantal
Ecole doctorale:Sciences de la matière (SdM)
laboratoire/Unité de recherche :Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes (LAAS) - CNRS
Mots-clés libres :semiconducteurs III-V - épitaxie par jets moléculaires - structuration de surface - lithographie - nettoyage de surface - plasmas - boîtes quantiques
Sujets :Sciences des matériaux
Déposé le :15 Dec 2008 15:44